به گزارش ایران اکونومیست به نقل از گیزمگ،آی‌بی‌ام برای تولید این تراشه ۵ نانومتری به جای استفاده از مهندسی FinFET ،از ساختار جدیدی با یک بسته شامل چهار صفحه نانو استفاده کرده است که تا ۳۰ میلیارد ترانزیستور در تراشه‌ای به اندازه یک بند انگشت جای گیرد.
این موفقیت دستاوردهای قابل توجهی در قدرت و کارایی در پی خواهد داشت.
در سال ۱۹۷۰ طبق قانون مور اعلام شد که تعداد ترانزیستورهای یک تراشه هر دو سال یکبار می‌تواند دو برابر شود.این قانون در ابتدا جالب به نظر می‌آمد اما در ادامه به دلیل کند بودن روند افزایش ترانزیستورها با مشکلاتی مواجه شد.
در بازار تجهیزات تجاریِ هنوز هم تراشه‌های ۱۴ نانومتری استاندارد محسوب شده و از آنها استفاده بسیاری می‌شود اما با استفاده شرکت‌هایی نظیر اینتل و سامسونگ از تراشه‌های ۱۰ نانومتری سبب شد تا بازار به تسخیر این تراشه‌ها در بیاید.
اما از آنجاییکه فناوری با سرعت زیادی در حال پیشرفت است،در سال 2015 آی بی ام از تراشه ۷ نانومتری خود که با همکاری سامسونگ و "گلوبال فاندریز"( GlobalFoundries) توسعه داده بود رونمایی کرد.
آنها توانستند با کمک برخی ترفندها در زمینه تولید، ۲۰ میلیارد ترانزیستور را در یک تراشه به اندازه یک بند انگشت جای دهند.
آنها انتظار دارند که بتوان این تراشه‌های ۷ نانومتری را در سال ۲۰۱۹ تجاری سازی کنند.
حال همان کمپانی با برداشتن گامی بلند در عرصه فناوری، موفق به تولید تراشه‌های 5 نانو متری شده است. این تیم برای کاهش اندازه این تراشه ها به 5 نانو متر از روش‌های نوین مهندسی بهره بردند.
آنها در مهندسی تراشه ۵ نانومتری خود از صفحه‌های نانو سلیکونی استفاده کردند که می‌توانند سیگنال‌ها را از درون ۴ گیت بصورت همزمان ارسال کنند که در تراشه هایی که با روش مهندسی FinFET ساخته شده بودند این گیت‌ها 3 عدد بودند.
این تراشه های جدید در مقایسه با تراشه های 10 نانومتری دارای قابلیت افزایش بازدهی تا ۴۰ درصد با انرژی مشابه بوده و می‌توانند مصرف انرژی را تا ۷۵ درصد و کاهش دهند.
