تولید نانو حافظه 8 گیگا بایتی

به گزارش ایران اکونومیست به نقل  از ستاد ویژه توسعه فناوری نانو معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری، این نانوحافظه عملکرد سیستم را 30 درصد نسبت به حافظه‌های 4 گیگابایتی افزایش می‌دهد.
پیش از این فناوری تراشه حافظه 4گیگابایتی DDR3 تولید شده بود که تنها دو سال بعد از تولید آن، این نسل جدید از فناوری پا به عرضه ظهور گذاشته است. در حافظه 8 گیگابایتی DDR4 از فناوری 10 نانومتری استفاده شده در حالی که نسل قبلی یعنی حافظه 4 گیگابایتیDDR3 از فناوری 20 نانومتری استفاده شده بود.
نتایج آزمایش‌های انجام شده سامسونگ نشان می‌دهد که این فناوری جدید می‌تواند کارایی سیستم را 30 درصد نسبت به فناوری 20 نانومتری، افزایش دهد.
این شرکت اعلام کرده، حافظه 10 نانومتری جدید می‌تواند کارایی سیستم‌های IT را به شکل قابل توجهی افزایش دهد به طوری که موتور رشد جدیدی در صنعت تولید حافظه ایجاد شود. در آینده نزدیک، نسل جدید ادوات الکترونیکی نظیر تلفن همراه مجهز به این حافظه 10 نانومتری شده که دانسیته مدارها در آن به بالاترین حد ممکن می‌رسد.
سامسونگ در جدیدترین اظهار نظر خود اعلام کرده که قصد دارد تولید انبوه تلفن‌های همراه مجهز به فناوری 10 نانومتری را آغاز کند. این تلفن‌ها در سال جاری میلادی تولید شده و رقابت‌پذیری این شرکت را در حوزه تولید تلفن‌های هوشمند افزایش می‌دهد.