موفقیت فناوران کشور در توسعه ۳ سامانه حوزه میکروالکترونیک

گروهی از فناوران یکی از شرکت‌های مستقر در پارک علم و فناوری دانشگاه تهران ۳ سامانه‌ برای توسعه تحقیقات آزمایشگاهی حوزه میکروالکترونیک را در کشور توسعه دادند.

کد خبر: ۶۷۸۵۳۲

تاریخ: ۲۳ بهمن ۱۴۰۲ - ۰۹:۵۹

علی اخوان فراهانی، مدیرعامل این شرکت دانش بنیان در گفت‌وگو با ایران اکونومیست، با بیان اینکه پژوهشگران این مجموعه بر روی سامانه‌هایی با کاربرد میکروالکترونیک فعال هستند، گفت: سامانه رشد نانو لوله‌های کربنی با استفاده از پلاسمای جریان مستقیم در فشار پایین (DC-PECVD) از جمله محصولات تولیدی ما به شمار می‌رود. این سامانه از بخش‌هایی چون منبع تغذیه ولتاژ بالا برای تولید پلاسما، پمپ‌های خلأ مکانیکی برای ایجاد فشار پایین، کوره‌های کوارتز برای دمای بالا و کنترل کاملا اتوماتیک تشکیل شده است.

وی کاربرد این سامانه را در آزمایشگاه‌ها و پژوهشگاه‌های تحقیقاتی مرتبط با نانو الکترونیک و افزاره‌های نیمه هادی دانست و یادآور شد: نانو لوله‌های کربنی در ساخت حسگرها و قطعات الکترونیکی به کاربرده می‌شوند ضمن آنکه امروزه این ساختارها در تولید قطعات بایوالکترونیک به کار برده می‌شوند.

اخوان فراهانی، اضافه شدن رشد گرافن و زدایش اکسید به این سامانه را از فازهای توسعه‌ای این سامانه دانست و یادآور شد: گرافن یکی از شاخص‌ترین مواد دو بعدی است که می‌تواند در ساخت قطعات الکترونیکی در آینده به کار رود.

مدیرعامل این شرکت دانش بنیان، سامانه زدایش عمیق سیلیکون با استفاده از یون‌های واکنشگر(DRIE) را از دیگر محصولات این شرکت دانست و یادآور شد: این سامانه دارای یک فرآینده جدید و بهبود یافته نسبت به نمونه‌های خارجی است که در بسیاری از آزمایشگاه‌ها و پژوهشگاه‌های تحقیقاتی مرتبط با نانوالکترونیک و افزاره‌های نیمه هادی کاربرد دارد.

وی خاطر نشان کرد: این سامانه برای لایه‌برداری یا زدایش ویفرهای سیلیکونی تک‌کریستال و پلی‌کریستال با استفاده از گازهای فعال در اتمسفر پلاسمای القا شده استفاده می‌شود. کاربرد این محصول در سیستم‌های الکترونیکی و میکروالکترومکانیکی (MEMS)، استفاده جهت حکاکی و لایه‌برداری عمیق است.

این محقق تاکید کرد: اچ یون فعال عمیق (DRIE) یک فناوری ساخت نسبتا جدید است که امروزه در ساخت سیستم‌های میکروالکترومکانیکی (MEMS) و نانوفناوری استفاده می‌شود. این فناوری همچنین ایجاد حفراتی با نسبت‌های (عرض، طول و ارتفاع) به شدت غیر متوازن (high aspect ratio) بر روی زیرلایه‌های سیلیکونی را ممکن می‌سازد، در این حالت یکی از ابعاد می‌تواند تا ۱۰۰ نانومتر کوچک باشد.

اخوان فراهانی افزود: فرایند ساخت این سامانه‌ها نسبت به نمونه‌های مشابه خارجی مقرون به صرفه‌تر هستند. تاکنون بیشترین بازار هدف محصولات ما، آزمایشگاه‌ها بودند زیرا قیمت تمام‌شده نمونه‌های صنعتی چند برابر نمونه آزمایشگاهی است.