سامسونگ ظاهراً از برنامه ساخت تراشه‌های ۳ نانومتری عقب افتاده است

گزارشی جدید نشان می‌دهد که سامسونگ از برنامه تولید تراشه‌های سه نانومتری عقب افتاده و ممکن است تا سال ۲۰۲۴ تولید انبوه این تراشه‌ها را شاهد نباشیم.

کد خبر: ۴۰۸۹۹۲

تاریخ: ۰۷ فروردين ۱۴۰۱ - ۱۶:۴۸

سامسونگ سال‌ها است که در سایه TSMC، به‌عنوان دومین شرکت بزرگ برای تولید تراشه‌های قراردادی محسوب می‌شود و بسیاری از شرکت‌ها برای برون‌سپاری تولید تراشه‌هایشان از بازوی تولیدی غول کره‌ای بهره می‌گیرند. سامسونگ جزو معدود شرکت‌هایی است که توانسته فناوری‌های پیشرفته برای ساخت تراشه را همگام با رقیب تایوانی خود ارائه دهد و در عین ‌حال از ظرفیت تولید مناسبی برخوردار باشد.

بااین‌حال، شواهد نشان می‌دهد که مشکلات متعددی در بخش ریخته‌گری گریبان‌گیر این شرکت شده و متعاقباً بسیاری از قراردادهایش را به TSMC باخته است. برای مثال گفته می‌شود بازدهی تولید بسیار بد تراشه‌های چهار نانومتری سبب شده است که کوالکام بخش عمده‌ای از قرارداد تولید تراشه اسنپدراگون ۸ نسل یک را با سامسونگ تمدید نکند و فرایند تولید آن را به غول تایوانی صنعت تراشه محول کند.

اکنون، در گزارشی جدید ادعا می‌شود که سامسونگ حتی در گذار به تراشه‌های سه‌نانومتری نیز با مشکل مواجه شده است. اکانت توییتری TheGalox می‌گوید سامسونگ هنوز نتوانسته مشکلات بازدهی تراشه‌های چهار نانومتری را برطرف کند و همین امر مهم‌ترین دلیل بر عقب ماندن از بازه تولید تراشه‌های سه‌نامتری عنوان می‌شود. جالب است بدانید که در ابتدا گفته می‌شد تراشه‌های سه‌نانومتری می‌توانند در انتهای سال ۲۰۲۱ به تولید انبوه برسند؛ اما ظاهراً کمبود جهانی تراشه این بازه را حتی برای TSMC نیز به تأخیر انداخته است.

در این گزارش آمده که سامسونگ درحال‌حاضر قادر به استفاده از ۱۰ تا ۲۰ درصد از ظرفیت خطوط سه‌نانومتری است؛ بنابریان گمان می‌کنیم که اگر اوضاع تغییر نکند، شاید در سال ۲۰۲۳ نیز تولید انبوه تراشه‌های مذکور را شاهد نباشیم.

جالب است بدانید که تراشه‌های سه‌نانومتری سامسونگ بر پایه‌ی ترانزیستورهای GAA-FET از نوع MBC-FET و مبتنی‌بر ورقه‌های نانو خواهند بود. ترانزیستورهای یادشده بسیار پیشرفته و پرهزینه خواهند بود که خود می‌تواند مزیدی بر تأخیر در فرایند ساخت آن‌ها باشد.

به‌طورکلی، هر فناوری ایجادشده با فرآیندهای نوین، چالش‌های جدیدی را به‌دنبال دارد و قطعاً صنعت نیمه‌هادی نیز از این قاعده مستثنی نیست. برای مثال، اصلی‌ترین چالش شرکت‌های سازنده تراشه، یافتن ساختار ترانزیستور و همچنین مواد ترانزیستوری مناسب است. در این میان، تماس‌های ترانزیستوری که نیرو را به ترانزیستور می‌رسانند، برای عملکرد آن‌ها (ترانزیستورها) بسیار حیاتی هستند.

کوچک‌سازی بیشتر فناوری‌های استفاده‌شده در صنعت نیمه‌هادی مقاومت در تماس را افزایش می‌دهد و به موجب آن، عملکرد آن‌ها نیز محدود می‌شود؛ بنابراین، سامسونگ و سایر تراشه‌سازان باید ماده تماسی را پیدا کنند که مقاومت بسیار کمی داشته باشد، جریان‌های زیادی را انتقال دهد و از همه مهم‌تر برای تولید در حجم انبوه مقرون‌به‌صرفه باشد.